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622Mbps 400um APD，是一种具有内部倍增光电流的光接收芯片。该顶部入光产品的光敏区尺寸是400um，便于光纤对准，正面/背面电极结构；高响应度，高倍增，低暗电流。高性l能大光敏面的622Mbps APD Chip封装成单管的TO-CAN可以提高光接收机的灵敏度，广泛用于微光探测和激光雷达等领域。
LB-622-400APD15F是一款带光纤尾纤输入光信号，将光信号直接耦合进内部集成1550nm波段光接收雪崩光电二极管（Avalanche Photon Diode，APD）芯片和跨阻放大器（TIA）芯片的探测器，该产品带FC接口的多模光纤，将光信号耦合到APD探测器上，避免光信号大幅度损坏和易于操作；高响应度，低暗电流。高l性能，速率可达到622Mbps TO封装的InGaAs探测器广泛用于光电探测设备。
photoconductive detector 利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在***和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导l弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。
1873年，英国发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。后来随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化l镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。
